Modelo de Ebers-Moll para transistores de unión bipolar

Tipo: Apuntes

Formato: PDF

Autor: Ing. Raúl Abreu

Web: www.el.bqto.unexpo.edu.ve

Descripción: Apuntes de curso de ingeniería electrónica sobre el modelo de Ebers-Moll para transistores de unión bipolar.

Introducción

El transistor es un dispositivo no lineal que puede ser modelado utilizando las característica no lineales de los diodos.

El modelo de Ebers-Moll es un modelo de señal grande que comúnmente se utiliza para modelar los BJT. Una versión del modelo se basa en suponer un diodo con polarización directa y un diodo con polarización inversa.

Este modelo, conocido como versión de inyección del modelo de modelo de Ebers-Moll, es válido para las regiones activa, de saturación y de corte. Bajo condiciones de funcionamiento normal dentro de la región activa, una unión del BJT tiene polarización directa, y la otra, inversa.
 

* Información relacionada con este tema:
- Apuntes sobre Transistores
- Física de los dispositivos bipolares: el transistor y el tiristor
 

Resumen del contenido

- Cálculo de las corrientes para el modelo de Ebers-Moll de un transistor NPN
- Ejemplos
- Cálculo del voltaje de saturación colector-emisor de un BJT.
- Utilizando las ecuaciones (D.3) y (D.5).
 

Acceder al documento

« Página anterior   Reportar enlace roto